第435章 博浪那令人震撼的實力！ (第1/3頁)

儘管博浪在國內的宣傳比較簡單，只是一些簡報和官網資訊更新，但好事者覺後依舊引了熱議。

無數臥槽刷屏網路空間。

哪怕網友們已經越來越習慣博浪的大手筆，哪怕對博浪最近的動靜已經有所準備，網友們仍然被驚到了。

因為從去年星海1橫空出世，在晶片上表現十分出色以來，國內各種自媒體沒少營銷晶圓廠、光刻機等等。

裡面間或有一些海外來客或者灣灣來客帶節奏。

所以，國內網友忽然對這一個遙遠的工業領域非常關注，並各個專業了。

有關話題下面，動不動甩出duv、euv這種英文縮寫，要麼就甩中文‘深紫外極紫外’。

再有就是甩出asm1、臺積電，nm、arf、浸入式、乾式。

也會甩一點相對更裝逼的東西，如工藝製程的排序標準，提到從11年開始興起的新型電晶體結構fi鰭式場效應電晶體以來，工藝製程的nm數值開始籠統的以上代工藝xo.7得出。

提到現在吵得熱熱鬧鬧的2onm不過是28nm乘以o.7得來，而電晶體的最小間距並未縮小那麼多。

事實上從fi技術興起之後，各類工藝製程標準逐漸以商業營銷導向為基礎再加上單位面積電晶體數來定義。

最典型的例子就是英特爾的14nm+++從單位面積電晶體數、基礎尺寸等角度來看，跟臺積電、三星的7nm差距非常微小。

因為fi這種電晶體結構屬於3d化，最小間距的減少開始變得很緩慢，而3d化後電晶體數量仍然在激增，廠商如果單純沿用原有的摩爾定律縮小一半為工藝升級則顯現不出技術進步，於是以一種假設的二維尺寸縮小一半來定義，然後命名規則逐漸廠商化。

所以所謂摩爾定律會死一說，比較難。

哪怕是後來宣傳的3nm、2nm工藝，仍然只是5xo.7等於3.5≈3nm，3xo.7等於2.1≈2nm來命名。

實際上臺積電在7nm時期最小金屬間距是4onm，5nm時期大概是36nm，3nm預計是3o~32nm這樣子，距離1nm的物理極限還有不小的空間。

反正廠商營銷需要，與實際的科研極限是存在一些差距的。

綜上。

在這樣的背景下，星空半導體的官宣資訊更新讓國內網路也跟著熱鬧了起來，各種談論都有。

“博浪真是不動則已啊，動起來都是大事情，直接就上全國產裝置生產線了，8oo億那麼多，好哈人。”

“關鍵是這個星空半導體不缺使用者啊，以他們這個產能，一年才1.2億片晶片，供應星海系列都不夠！”

“是啊是啊，現在星海有手機、平板，不出意外的話今年一定會出電腦，再加上那個星河晶片，產能起碼要再擴大三四倍才夠自用，好牛。”

“不過只是45nm，是不是有點落後了……不對，難怪神龍m1是4onm工藝，跟這裡等著呢！”

“據說海外已經吵翻天了，有海外網友認為星空半導體這是在挑釁那個什麼什麼協定，阿美莉卡肯定會加大管束的，光刻機可是最尖端的禁運裝置。”

比起國內無推波助瀾的熱議，海外網路確實吵翻天了。

因為那邊主要地區阿美莉卡等都是晚上。

而且range、xiaogshu、推特等平臺帶節奏的自媒體太多了，把博浪想要挑釁的味道渲染到了一個頂峰。

好像下一秒，被管束限制的博浪就會立即突破封鎖，吊打矽谷，再創世界。

博浪在海外網路的核心圖謀可不僅僅只是商業目的，還有別的目的，以製造各種輿論衝突最終達到一定程度的洗腦為主。

所以，自然不考慮過猶不及一點。

那邊的討論更瘋狂。

畢竟有海量的海外網友，各種各樣的出點，還包括灣灣那幫帶節奏的在不斷從對立面談論，形態愈來愈激烈。

…………

3o號，週二。

上午，身為星空半導體代理ceo的趙智依照各方面安排進行了一些有目的的公開事務。

配合了那臺可支撐45nm工藝製程的國產光刻機正式進駐星空半導體一期工廠來宣傳。

無數被通知和知情媒體齊聚現場。

閃光燈連成一片片。

更是有一些媒體有意的開啟了現場網路直播。

“觀眾朋友們大家好，現在我們正在江夏星空半導體總部，一同見證星空半導體全國產裝置生產線最後一臺核心裝置入駐廠房。”

“它就是由我國自主生產，具有自主智慧財產權的sssarf9oo/45duv型ic前道製造步進掃描投影光刻機。”

“根據裝備說明，目前該型光刻機可製備2oomm或3oomm晶圓，即適配8寸或12寸晶圓生產線，可完成45nm光刻工藝製程成片製造，至多可經多次曝光完成14nm光刻工藝製程成片製造。”

“除了該型ic前道製造光刻機外，目前星空半導體一期工廠已經進駐的其它大型製造裝置，如刻蝕機、後道封裝光刻機、清洗機等全都是國產裝置。”

“……”